100μm的超薄型（也能根据要求薄至80μm）
高Q值
电压稳定性
高ESD性能（ESD增强系列）>1kV（47pF）、>2kV（100pF）、>8kV（330pF）
低漏电流（100pA）
低ESL和ESR
SRF>1.2GHz（100pF）
用途
涵盖医疗、电信、计算机产业等要求严格的所有用途
去藕／滤波／电荷泵浦（心脏起搏器、手机）
标准ID1天线
双重接口或完全非接触
智能卡
4、5、6级天线用RFID胶贴
电信用SIM
无线能量收集
个人医疗、健康、体育
智能传感器
产业用标签
汽车TPMS／车用电子防盗系统
LPSC系列规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 静电容量范围 | 47 pF to 3.3µF(*) |
| 静电容量容差 | ±15%(*) |
| 工作温度范围 | -55°C to 150°C |
| 保管温度范围 | -70°C to 165°C(*2) |
| 温度系数 | +60ppm/K |
| 击穿电压 (BV) | 11 VDC or 30 VDC |
| 相对于RVDC的静电容量变化 | 0.1%/V (from 0 to RVDC) |
| 等效串联电感 (ESL) | 最大100pH (*) |
| 等效串联电阻 (ESR) | 最大200mΩ (*) |
| 绝缘电阻 | 100nF的商品 100GΩ（25℃，施加3V，120秒后） |
| 老化 | 微小，<0.001%/1000h |
| 可靠性 | FIT<0.017个/10亿小时 |
| 电容器厚度 | 100 µm |
(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外
系列一览
| LPSC.xxx | 可薄至100μm的ESD增强硅电容器 | |||
|---|---|---|---|---|
| 品名 | 静电容量 | BV | 外壳尺寸 | 厚度 |
| 935121714310-xxN | 100pF | 30V | 0402 | 100μm |
| 935121714333-xxN | 330pF | 30V | 0402 | 100μm |
| LPSC.xxx | 可薄至100μm的硅电容器 | |||
|---|---|---|---|---|
| 品名 | 静电容量 | BV | 外壳尺寸 | 厚度 |
| 935121423510-xxN | 10nF | 11V | 0201 | 100μm |
| 935121424247-xxN | 47pF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121424310-xxN | 100pF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121424347-xxN | 470pF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121424410-xxN | 1nF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121424510-xxN | 10nF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121424522-xxN | 22nF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121424533-xxN | 33nF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121424547-xxN | 47nF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121424610-xxN | 100nF | 11V | 0402 | 100μm |
| 935121425610-xxN | 100nF | 11V | 0603 | 100μm |
| 935121426610-xxN | 100nF | 11V | 0805 | 100μm |
| 935121427610-xxN | 100nF | 11V | 1206 | 100μm |
| 935121427710-xxN | 1μF | 11V | 1206 | 100μm |
