ON达林顿晶体管

随着封装变得越来越小，为电源应用实现高效的热性能要求设计人员采用新的方法来改善器件的热流。因此，本文的目的是帮助用户最大化SuperSOTTM-3（SOT-23）的功率处理能力。 ）飞兆半导体提供的PowerMOSFET。这项工作使用户可以充分利用飞兆半导体最先进的功率MOSFET的卓越性能特性，该器件具有极低的导通电阻和改进的结 - 焦点（RθJC）热阻。最后，用户可以通过使用下面提出的散热解决方案来提高元件性能和更高的电路板封装密度。在自然冷却中，提高功率性能的方法应该集中在铜安装焊盘的最佳设计上。设计应考虑铜的尺寸及其在一个或两个板表面上的位置。铜安装垫非常重要，因为功率MOSFET的漏极引线直接安装在焊盘上。垫起到散热器的作用，可降低热阻，从而提高动力性能。

图1. SuperSOTTM-3功率MOSFET具有与SOT-23相同的封装尺寸，但最大化的铜引线框架将结至外壳的热阻RθJC降低至75oC / W。

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