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磁传感器高灵敏度锑化铟( InSb )霍尔效应传感器IC芯片元件
2020-08-18 11:44:22
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磁传感器高灵敏度锑化铟( InSb )霍尔效应传感器IC芯片元件
由铟和锑构成的重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。 因为其熔点低，熔点时的离解冻小，所以50年代制造了单晶体。
锑化铟( InSb )是一种研究迅速、研究深入的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。 其晶体呈银色脆、闪锌矿结构，晶格常数为6.48Å，禁带宽窄：0.18eV，电子迁移率高达：7800cm2/V·s，可用于红外探测器、光磁探测器和Hall器件的制备。 锑化铟的熔点为525℃，与其他Ⅲ-Ⅴ族化合物相比，生长单晶提纯都非常简易，因此多为Ⅲ-Ⅴ族化合物的固体理论研究时选择的对象。
锑化铟InSb单晶电子迁移率高，是非常好的霍尔元件、红外探测元件、磁阻元件的衬底材料。 例如，与大气透过窗对应的3~5μm频带的摄像元件或InSb焦平面阵列元件。 在电荷注入装置中，锑化铟InSb装置的位数已达到128×128阵列。 3~5μm频带的InSb光伏检测器，作为传感器元件构成的混合焦平面阵列也大幅发展，制作元数多的二维阵列。
锑化铟( InSb )
分子式：InSb
分子量：236.578
熔点：535℃
密度：5.76g/cm3
制备：锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。
锑化铟( InSb )霍尔元件