DIODES双极晶体管

由两个背对背PN组成的晶体管，以获得电压、电流或信号增益。点接触晶体晶体管起源于1948年，在20世纪50年代早期发展成为结型晶体管，现在称为双极型晶体管。双极晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这三层半导体中，中间层称为基极区，外层分别称为发射极和集电极。当少量电流注入基极区时，在发射区和集电极区之间会形成大电流，这是晶体管的放大效应。

DIODES双极晶体管