Diodes金属氧化物半导体场效应晶体管
Diodes金属氧化物半导体场效应晶体管普遍称为金氧半场效应晶体管，金氧半场效应晶体管是一款广泛用于数字电路和模拟的场效应晶体管。
金属氧化物半导体场效应晶体管(简称金氧半场效应晶体管；英文：金属氧化物半导体场效应晶体管，简称：MOSFET)是一种能广泛应用于模拟和数字电路的场效应晶体管。根据沟道极性的不同，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOFET）可分为以电子为主的N沟道型和以空穴为主的P沟道型。它们通常被称为N型金氧半场效应晶体管（nmosfets）和P型金氧半场效应晶体管（pmosfets）。
根据金氧半场效应晶体管(MOSFET)的名称，它实际上给人的印象是错误的。因为mosfet和英语单词“metal”的第一个字母m不存在于大多数同类的当前组件中。最初的金氧半场晶体管栅采用金属为材料，但由于多晶硅在工作中更耐高温，许多金氧半场晶体管栅采用的是后者而不是前者。随着半导体特性尺寸的缩小，金属作为栅极材料近年受到了研究者的大量关注。
金氧场效应晶体管在概念上是绝缘栅场效应晶体管(IGFET)。绝缘栅场效应晶体管的栅绝缘层可以是其他材料，而不是“497”半场效应晶体管使用的氧化层。有些人更喜欢使用IGFET，当提到场效应晶体管组件与多晶硅栅，但这些IGFET大多数指的是金氧半场晶体管。
金氧半场效应晶体管中的氧化物层位于其通道上方。根据其工作电压，氧化层的厚度从数十到数百个不等。通常，这种材料是二氧化硅。然而，一些先进的工艺，如氮化硅（SiON）已被用作氧化层。
今天，硅通常是半导体元件的首选材料，但一些半导体公司已经开发出使用其他半导体材料的工艺。其中最著名的是硅锗工艺(SiGe工艺).由国际商业机械有限公司开发，采用硅锗混合物。不幸的是，许多具有良好电性能的半导体材料，如砷化镓，不能用于制造“497”半场效应晶体管元件，因为它们不能在表面生长出高质量的氧化物层。
当栅与金氧半场晶体管的源之间施加足够大的电位差时，电场在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，然后形成反向通道(反转通道)。已经形成了。通道的极性与其漏极和源极性相同。如果排水管和水源为N型，则通道也将为N型。形成沟道后，"金氧"半场效应晶体管可以允许电流通过，并且根据施加到栅极的电压值，通过"金氧"半场效应晶体管的沟道的电流也可以由其控制。
