低电压工作两极/单极检测型 霍尔效应开关IC
SEIKO精工S-5712由CMOS技术开发，是一种高精度的霍尔效应开关IC，可在低电压和低电流消耗下工作。 SEIKO精工S-5712检测到磁通密度的强度水平时，输出电压发生变化。 将此IC与磁铁配合使用，可以检测各种设备的开/关。SEIKO精工S-5712有两种封装来实现高密度的安装分别是SOT-23-3封装和更加小型的SNT-4A封装。 而且电流消耗低，该IC适用于电池供电的便携式设备。 而且，由于其高精度的磁特性，该IC可以使与磁体结合的系统中的操作分散较小。
极性检测*1 : 检测两极、检测S极、检测N极
输出逻辑*1 : 动态 "L"、动态 "H"
输出方式*1 : N沟道开路漏极输出、CMOS输出
电源电压范围 : VDD = 1.6 V ~ 3.5 V
工作温度范围 : Ta = -40°C ~ 85°C
• 磁气灵敏度*1 : BOP = 1.8 mT (典型值)
BOP = 3.0 mT (典型值)
BOP = 4.5 mT (典型值)
BOP = 7.0 mT (典型值)
• 驱动周期 (消耗电流) *1 : 检测两极产品 tCYCLE = 5.70 ms (IDD = 12.0 μA) (典型值)
tCYCLE = 50.50 ms (IDD = 2.0 μA) (典型值)
tCYCLE = 204.10 ms (IDD = 1.0 μA) (典型值)
SEIKO精工S-5712封装SOT-23-3
N沟道开路漏极输出产品
S-5712ANDL0-M3T1U S-5712ANDL1-M3T1U
S-5712ANDL2-M3T1U S-5712ANSL1-M3T1U
S-5712ANSL2-M3T1U S-5712ANSH1-M3T1U
S-5712BNDL2-M3T1U S-5712BNDH2-M3T1U
CMOS输出产品
S-5712ACDL1-M3T1U S-5712ACDL2-M3T1U
S-5712ACDH1-M3T1U S-5712ACSL2-M3T1U
S-5712ACSL1-M3T1U S-5712ACDH2-M3T1U
S-5712CCSL1-M3T1U S-5712ACNL2-M3T1U
S-5712ACNL1-M3T1U S-5712CCDL1-M3T1U
SEIKO精工S-5712封装SNT-4A
N沟道开路漏极输出产品
S-5712ECSL2-I4T1U S-5712ECSL3-I4T1U
S-5712ANDL0-I4T1U S-5712ANDL1-I4T1U
S-5712ANDL2-I4T1U S-5712ANSL1-I4T1U
S-5712ANSL2-I4T1U S-5712BNDL2-I4T1U
S-5712BNDH2-I4T1U
CMOS输出产品
S-5712ACDL0-I4T1U S-5712ACDL1-I4T1U
S-5712ACDL2-I4T1U S-5712ACDL3-I4T1U
S-5712ACDH1-I4T1U S-5712ACDH2-I4T1U
S-5712ACSH1-I4T1U S-5712CCDL1-I4T1U
S-5712CCSL1-I4T1U S-5712BCDL2-I4T1U
S-5712CCNL1-I4T1U S-5712BCDH1-I4T1U
S-5712CCDH1-I4T1U S-5712ACSL1-I4T1U
S-5712BCSL2-I4T1U S-5712ACSL2-I4T1U
S-5712BCDL1-I4T1U S-5712ACNL1-I4T1U
S-5712BCDH2-I4T1U S-5712ACNH1-I4T1U
S-5712ACSH2-I4T1U S-5712ACNL2-I4T1U
S-5712ACNL3-I4T1U
